模拟电子技术

Redem-cat2026年2月24日大约 19 分钟

模拟电子技术

课程简介与重要性

模拟电子技术是电子工程专业的核心课程，主要研究模拟电路的分析与设计。模电是理解现代电子系统的基础，对于通信、信号处理、集成电路等领域都非常重要。

学习难度与前置知识

难度等级：⭐⭐⭐⭐⭐
前置知识：大学物理、电路基础
学习建议：通过考试简单，但想学懂学透完全不像本科一个学期能完成的任务

课程特点

平时分占比50%，期末占比50%
期中大作业五年来题目不变
网上可以找到大部分作业参考答案
建议重点抓好平时分

学习经验分享

模电是一门很诡异的课，直到我毕业，我还是觉得这门课想要通过考试简单，但想要学懂学透完全不像是本科一个学期能完成的任务。不过话又说回来了，谈到在这门课方面拿到一个说得过去的分数，我还是有一些东西想要分享。

这门课的平时分占比50，期末占比也是50（有时候可能有期中小测，但是也可能没有）。显然相比于期末考试，平时分拿到一个较高的分数会容易很多。这门课的平时分作业相对还是有些困难，但是网上均可以找到参考答案。唯一无法找到参考答案的是期中大作业，但是这个期中大作业的题目纵观五年来的模拟电路课程均没有任何哪怕一个数字的变动。不过由于是开放式题目，为了达到题目要求的指标，几乎是每个人设计出来的电路都略有不同。

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教学风格：鞭辟入里，讲解透彻，能够深入浅出地阐释复杂概念
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适用人群：从零基础入门到深入进阶的同学均可从中受益

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推荐教材

康华光《电子技术基础·模拟部分》
- 优点：国内经典教材，内容全面
- 缺点：部分内容较为陈旧
- 使用建议：作为主教材学习

考试重点与备考策略

备考策略：

重点关注平时分，特别是期中大作业
掌握基本电路分析方法
熟悉常用公式和公式速查表（见下方）
多做课后习题

以下给出模电的知识结构以及考试重点：

模拟电路
├── 半导体器件基础
│   ├── 二极管（整流 / 稳压）
│   ├── BJT（三极管）
│   └── MOSFET
│
├── 放大电路基础
│   ├── 静态分析（Q 点）
│   ├── 微变等效模型
│   ├── 频率响应
│   └── 三种基本放大电路
│       ├── 共射
│       ├── 共集
│       └── 共基
│
├── 反馈放大电路
│   ├── 反馈类型判断
│   ├── 负反馈作用
│   └── 深度负反馈分析
│
├── 集成运算放大器
│   ├── 理想运放假设
│   ├── 基本应用电路
│   └── 有源滤波
│
└── 模拟集成电路
    ├── 差分放大电路
    └── 电流源电路

章节	核心内容	考试重要性	关键学习要点与难点（补充）
半导体基础与二极管	PN结原理、单向导电性、伏安特性（数学模型）温度影响、等效模型（恒压降、折线、小信号）特殊二极管（稳压管、发光管）	重点	理解PN结是核心。掌握用恒压降模型（硅0.7V）进行导通/截止状态判断是后续所有电路分析的基础。稳压管的工作原理（反向击穿）是必考点。
BJT 三极管	结构（NPN/PNP）、电流放大原理（Ib, Ic, Ie关系）三种工作状态（放大、饱和、截止）的偏置条件与判断特性曲线（输入/输出）、主要参数（β, ICE0）	核心重点	透彻理解 “放大状态的外部偏置条件”（发射结正偏、集电结反偏）。必须能熟练判断三极管在电路中的工作状态，这是静态分析的基石。共射、共集、共基三种组态的特性。
MOS 场效应管	结构（增强型/耗尽型，N沟道/P沟道）、工作原理（沟道形成）输出特性曲线（可变电阻区、饱和/恒流区、截止区）转移特性、主要参数（gm, Vth）	次重点	与BJT的对比学习（电流控制vs电压控制、输入阻抗极高）。深刻理解 VGS对ID的控制（平方律关系）。掌握 MOS管工作区的判断（特别是饱和区的条件：VDS ≥ VGS - Vth）。
放大电路基础	静态分析：直流通路、Q点计算与稳定性。动态分析：微变等效电路法（画等效电路）、增益/输入/输出电阻计算。频率响应：概念（中频/低频/高频）、截止频率、波特图定性分析、增益带宽积。	核心重点	这是模电的“内功”部分。区分并独立进行静态（直流）和动态（交流）分析是基本功。三种基本组态（CE/CS, CC/CD, CB/CG）的性能对比（增益、Ri、Ro）是重中之重。了解频率响应下降的物理根源（耦合电容、极间电容）。
反馈放大电路	反馈基本概念（正/负、交流/直流）、反馈组态判断（电压/电流串联/并联）方法负反馈对性能的影响（稳定增益、改变Ri/Ro、展宽频带、减小非线性失真）深度负反馈下的虚短虚断与近似计算。	核心重点	能快速准确地判断四类负反馈组态是解决所有反馈问题的钥匙。深刻理解 “反馈信号取自输出”决定稳定对象（电压/电流），“反馈信号接入输入”决定比较方式（串联/并联）。深度负反馈下的 Af ≈ 1/F 计算。
集成运算放大器	理想运放参数（虚短、虚断）及其成立条件三种基本电路（同相/反相放大器、电压跟随器、差分/仪表放大器）有源滤波器（一阶LPF/HPF）、积分/微分电路。	重点	熟练运用 “虚短”（V+ ≈ V-）和“虚断”（I+ = I- ≈ 0）分析线性运算电路。这是考试中速度与准确性的关键。掌握基本电路的闭环增益公式。
差分放大电路	电路结构（对称性）、差模信号与共模信号的概念差模增益Ad、共模增益Ac、共模抑制比CMRR（= \|Ad/Ac\|）四种接法（双入双出/单出等）、长尾式和带恒流源的改进。	重点	理解差分放大抑制温漂（共模干扰）的原理。掌握半电路分析法。深刻理解 CMRR的物理意义，知道如何提高CMRR（使用恒流源）。
电流源电路	镜像电流源、微电流源、威尔逊电流源、多路电流源的工作原理。作为有源负载在放大电路中的应用（提高电压增益）。	重点	不仅要求会计算输出电流，更要理解电流源的两个核心特性： 1. 直流：提供稳定偏置电流。 2. 交流：呈现极大的动态电阻（Ro）。理解其作为集成运放内部的有源负载如何极大提高单级增益。
功率放大电路	分类（甲类、乙类、甲乙类）、效率计算交越失真的产生与消除（OCL、OTL电路）复合管（达林顿管）的使用。	次重点	核心是理解提高效率与减小失真之间的矛盾。掌握乙类互补对称电路（OCL）的原理、最大输出功率和效率公式。理解甲乙类电路如何克服交越失真。